MoS2 berpotensi diaplikasikan pada flexible elektronik dan divais optoelekronik. Pada penelitian ini, serbuk MoS2 dimodifikasi menggunakan metode eksfoliasi fasa cair berupa ultrasonikasi selama 60 jam di dalam NMP dan disentrifugasi selama 30 menit dengan kecepatan putar 2000 rpm. Selanjutnya penelitian ini mempelajari efek perubahan konsentrasi MoS2 terhadap karakteristik flakes yang diperoleh. Selain itu, penelitian ini juga membandingkan efek penambahan NaOH. Karakterisasi ketebalan dilakukan dengan mendeposisikan flakes MoS2 di atas kaca dan diukur serapan cahayanya menggunakan cahaya tampak. Hasil pengamatan menunjukkan ketebalan rata-rata lapisan MoS2 berkisar antara 3 - 14 nm saat konsentrasi MoS2 divariasi 1 - 3 mg/ml tanpa NaOH. Penambahan NaOH dapat menurunkan ketebalan lapisan. Proses modifikasi 2 mg/ml MoS2 dengan 1 mg/ml NaOH menghasilkan ketebalan rata-rata sekitar 7 nm. Nilai tersebut lebih kecil dibandingkan hasil modifikasi tanpa NaOH yang memiliki ketebalan rata-rata lapisan sekitar 10 nm. Untuk mempelajari sifat optoelektronik, flakes MoS2 dideposisi di atas SiO2. Pengukuran arus dilakukan saat tegangan divariasi dari -3 V hingga 3 V dan intensitas cahaya divariasi 0 - 1000 W/m2. Hasil penelitian menunjukkan konduktivitas lapisan MoS2 di atas SiO2 dipengaruhi oleh konsentrasi serbuk MoS2 yang dimodifikasi, konsentrasi NaOH yang digunakan, dan konduktivitas SiO2. Peningkatan konsentrasi MoS2 menyebabkan konduktivitas lapisan di atas SiO2 semakin besar. Sebaliknya, peningkatan konsentrasi NaOH menyebabkan penurunan konduktivitas lapisan MoS2. Adanya perbedaan konduktivitas SiO2 yang digunakan menyebabkan konduktivitas lapisan MoS2 yang dieksfoliasi dengan NaOH menjadi lebih tinggi dibandingkan dengan proses eksfoliasi tanpa NaOH. Selain itu, efek cahaya mengakibatkan konduktivitas lapisan MoS2 semakin tinggi.
Kata kunci: Serbuk, MoS2, eksfoliasi fasa cair, flakes, lapisan, ketebalan, konduktivitas.