ABSTRAKSI: Faktor penguatan sangat diutamakan dalam perancangan penguat daya. Karena fungsi paling utamanya adalah sebagai penguat daya yang akan dikirim. Pemilihan bahan dan parameternya berdasarkan spesifikasi dan ketersediaan bahan yang diperlukan.
Tujuan dari proyek akhir ini adalah merancang bangun penguat daya pada frekuensi kerja 1805 - 1880 MHz berbasis mikrostrip yang terdiri dari rangkaian penguat yang direalisasikan dengan menggunakan transistor BFR 91-A dan saluran mikrostrip dengan Gain ≥ 10 dB, daya keluaran ≥10 mW, VSWR ≤ 1.5, dan impedansi terminal ZT : 50Ω unbalance. Diharapkan penguat daya ini dapat diimplementasikan di GSM.
Dari hasi analisis berdasar lembar data BFR 91-A pada frekuensi kerja dan titik kerja (Vcc), transistor BFR 91-A merupakan transistor stabil bersyarat. Untuk mempermudah perancangan, komponen pasifnya direalisasikan menggunakan komponen diskrit resistor dan kapasitor. Sedangkan untuk komponen pasif induktor direalisasikan menggunakan saluran mikrostrip. Substrat yang dipilih adalah Epoxy FR-4 yang memiliki konstanta dielektrik tertentu dan rugi-rugi yang kecil.
Pada proyek akhir ini dihasilkan sebuah Penguat Daya satu tingkat yang dapat bekerja pada wilayah 1.417,02 – 2.137,32 MHz dengan Gain 10,761dB. Penguat Daya ini memiliki bandwidth sekitar 720,3 MHz.
Kata Kunci : Penguat Daya, Mikrostrip, Frekuensi GSM.ABSTRACT: Gain factor is very important in this power amplifier. Because the most funcionable is as transmitted power gain. The substance and its parameter are selected by specification and availablelity of the substance which needed. So that, its gotten a stable amplifier (single class).
The purpose of this final project is to design and implementation of power amplifier based on microstrip at 1805- 1880 MHz and use BFR 91-A transistor. The other specification are Gain ≥ 10 dB, output power ≥10 mW, VSWR ≤ 1.5, and ZT : 50Ω unbalance.
From the analyze and BFR 91-A datasheet, that transistor BFR 91-A is conditioned stability transistor. While the passives component have been realized with discreet component, in this case are resistors and capasitors. To facilitate the realization, inductors passives component have been realized using microstrip. The substrate that selected is Epoxy FR-4 which it has a dielectric and low loss.
This realitation result of a prototype Power Amplifier that can work at 1.417,02 – 2.137,32 MHz with Gain 10,761 dB. This power amplifier have bandwidth about 720,3 MHz.
Keyword: Amplifier, Microstrip,GSM Frequency.