Celah pita energi pada molibdenum disulfida (MoS2) lapis tunggal mengalami
perubahan dari celah pita langsung menjadi tidak langsung saat diberi regangan
uniaksial. Hal ini terlihat dari data eksperimen pergeseran panjang gelombang dan
peningkatan intensitas fotoluminesensi seiring bertambahnya nilai regangan yang
diterapkan pada MoS2 lapis tunggal. Secara teoretis, celah pita MoS2 lapis tunggal
bernilai semakin kecil seiring bertambahnya nilai regangan dan bertransisi dari
celah pita langsung menjadi tidak langsung pada nilai regangan sekitar ~1%. Bila
regangan terus diperbesar MoS2 lapis tunggal akan bertransisi dari semikonduktor
menjadi metal pada regangan sekitar ~10%. Sampai saat ini alasan fisis dari
transisi celah pita langsung menjadi tidak langsung pada MoS2 lapis tunggal yang
diinduksi regangan tersebut belum dapat dipastikan. Penelitian ini melakukan
kalkulasi ab initio yang mengimplementasikan metode density functional theory
(DFT) dan dilakukan melalui package Quantum ESPRESSO untuk menghasilkan
pita struktur elektronik, density of states (DOS), dan projected DOS (PDOS) dari
MoS2 lapis tunggal yang dipengaruhi regangan uniaksial yang bervariasi. Regangan
uniaksial yang diterapkan bervariasi dari 0 ? 2,8% dengan variasi 0,2% dan searah
dengan konstanta kisi ????. Penelitian ini menjawab alasan fisis di balik terjadinya
transisi celah pita langsung menjadi tidak langsung pada MoS2 lapis tunggal yang
diinduksi regangan. Transisi tersebut diakibatkan oleh pergeseran densitas elektron
dari sulfur menuju molibdenum yang dibuktikan melalui perubahan kontribusi DOS
setiap orientasi pada orbital 4???? molibdenum dan 3???? sulfur. Kalkulasi spektrum
Raman MoS2 lapis tunggal tanpa pengaruh regangan juga telah dilakukan meskipun
belum mendapatkan hasil yang sesuai dengan eksperimen. Kalkulasi menghasilkan
mode Raman ????? memiliki frekuensi 384 cm?1 sementara mode ????1? berfrekuensi 414 cm?1.