Penelitian tentang lapisan tipis dengan ketebalan nanometer telah memberikan terobosan baru dibidang ilmu pengetahuan maupun teknologi seperti fotodetektor dan elektronika fleksibel. Karakteristik sifat optoelektronik lapisan tipis Tungsten Disulfida (WS2) berukuran nanometer di atas substrat fleksibel masih perlu dipelajari untuk mengetahui perubahan sifat listrik material tersebut pada saat disinari cahaya. Maka dari itu pada tugas akhir ini penulis melakukan penelitian dengan tujuan untuk mengamati sifat listrik dan sifat optolektronik lapisan tipis WS2. WS2 dimodifikasi dengan eksfoliasi fase cair. Karakterisasi dilakukan dengan mengamati kurva I-V saat sebelum diberi gangguan, saat diberi gangguan dan setelah diberi gangguan eksternal berupa cahaya. Hasil karakterisasi kurva I-V WS2 yang dideposisi diatas substrat polyethylene terephthalate (PET) menunjukkan secara umum WS2 bersifat insulator dengan fluktuasi nilai arus di sebagian sampel. Arus yang mengalir pada sampel sebelum diberi cahaya sebesar -0.87 sampai 1.24 nA saat tegangan divariasi dari -5 sampai 5 V dengan nilai resistansi 3.6842 G?. Setelah tidak diberi cahaya nilai arus berubah menjadi -0.61 sampai 0.717 nA dengan nilai resistansi 6.59 G?. Nlai arus saat diberi cahaya mengalami fluktuasi dan perlu diteliti lebih lanjut. Selain itu, pada penelitian ini dilakukan juga karakterisasi Raman, photoluminescence (Pl) dan Uv-Vis. Hasil karkaterisasi Raman menunjukkan sampel masih berbentuk multilayer dengan munculnya puncak vibrasi E12g(?) pada 354.9 cm-1 dan A1g(?) pada 420 cm-1 dengan selisih 65.1 cm-1. Hasil karakterisasi Pl muncul pada puncak 650 nm menandakan adanya kontribusi eksiton pada sampel multilayer. Karakteriasi Uv-Vis pada puncak exciton A 638.2 dan B 530.6 nm menandakan WS2 masih tersusun dalam multilayer.
Kata kunci : WS2, eksfoliasi fase cair, Sifat Listrik, sifat optoelektronik, Raman spektroskopi, Photoluminiscence