Tugas akhir ini mempelajari sebaran lapisan Boron Nitrida (BN) dan sifat lstrik BN yang dideposisi di atas substrat Polyethylene Terephthalate (PET), Indium Tin Oxide/Polyethylene Terephthalate (ITO/PET), dan SiO2. Lapisan BN dibuat dengan cara memodifikasi 1 mg/mL BN menggunakan metode eksfoliasi fasa cair yang dtambahkan interkalator 2 mg/mL NaOH diikuti dengan deposisi secara drop casting di atas substrat. Sebaran lapisan BN pada substrat PET dan ITO/PET terlihat merata, sedangkan pada SiO2 terlihat daerah yang lebih tipis dan sebagian lebih tebal. Lapisan BN pada substrat PET lebih tipis daripada lapisan BN di substrat ITO/PET dengan ketebalan masing-masing 96 nm dan 149 nm. BN/PET dan BN/ITO/PET menyerap cahaya pada panjang gelombang 400-600 nm, serta mengemisikan cahaya pada panjang gelombang 600-1000 nm. Karakterisasi sifat listrik dilakukan dengan memvariasikan tegangan bias dan mengamati arus keluaran. Perilaku semikonduktor terlihat pada kurva I-V karakteristik BN/PET yang menghasilkan arus -315 nA sampai 154 nA pada saat tegangan divariasi dari -10V sampai 10V dengan tegangan ambang (Vth) = 2V dan memiliki resistivitas 0,29×104 ?cm. Perilaku yang sama ditunjukan oleh BN/SiO2 yang menghasilkan arus -0,7 mA sampai 0,1 mA pada saat tegangan divariasi dari -10V sampai 10V dengan Vth = 4V dan mempunyai resistivitas 1,1 ?cm. Hal ini berbeda pada BN yang dideposisi di atas ITO/PET yang menunjukkan perilaku gabungan perilaku insulator dan semikonduktor serta menghasilkan arus berkisar antara -4,3 mA sampai 3,14 mA pada saat tegangan divariasi dari -5V sampai 5V dan memiliki resistivitas 0,02 ?cm. Dapat disimpulkan bahwa substrat mempengaruhi sebaran BN, ketebalan lapisan BN, dan sifat listrik BN. Namun tidak ada pengaruh substrat terhadap serapan dan emisi spektrum cahaya.
Kata kunci : BN, PET, ITO, SiO2, Eksfoliasi, Sifat Listrik.