Perkembangan teknologi radar saat ini begitu pesat, hal ini dibuktikan oleh salah satu teknologi radar yang dikembangkan untuk aplikasi remote sensing yaitu Synthetic Aperture Radar (SAR). Teknologi SAR bekerja pada frekuensi L-Band yaitu pada rentang frekuensi 1,0-2,0 GHz dengan frekuensi kerja 1,265-1,275 GHz. Sinyal yang dipancarkan oleh SAR menggunakan chirp pulse yang ditembakkan ke permukaan bumi, kemudian ditangkap sinyal pantulnya (echo) oleh receiver.
Dalam penerapannya, untuk menerima sinyal pantulan dari permukaan bumi yang jarak tempuh sinyalnya cukup jauh dengan transmitter maka pada saat dipancarkan dibutuhkan daya yang tinggi. Penguat daya yang ditempatkan pada sistem SAR mampu meningkatkan daya sinyal yang ditembakkan sehingga sinyal pantulan dapat diterima oleh receiver. Pada tugas akhir ini, penguat daya dirancang dengan menggunakan desain penguat kelas E dan sistem penguat dua tingkat karena keterbatasan gain pada komponen aktif yang tersedia dipasaran. Komponen Aktif yang digunakan adalah GaAs (Galium Arsenide) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (p-HEMT) karena sinyal chirped radar yang digunakan SAR tidak membutuhkan amplitude yang linier dan rangkaian prategangan menggunakan komponen pasif (resistor dan kapasitor) diskrit jenis SMD dan induktor menggunakan jenis microstrip line.
Hasil realisasi prototipe penguat daya pertama dapat bekerja pada frekuensi kerja 1,265-1,275 GHz dengan karakteristik pada frekuensi tengah 1,275 GHz yang menghasilkan daya output sebesar 17,03 dBm, gain sebesar 17,03 dB, return loss input sebesar -18,75 dB, return loss output sebesar -16,08 dB, dan efisiensi penguat daya sebesar 19,79%. Hasil realisasi prototipe penguat daya kedua dengan karakteristik pada frekuensi tengah 1,2 GHz menghasilkan daya output sebesar 6,27 dBm, gain sebesar 6,27 dB, return loss input sebesar -4,18 dB, return loss output sebesar -1,67 dB, dan efisiensi penguat daya sebesar 0,65%.