ABSTRAK : Satelit nano merupakan satelit berukuran kecil (< 10 kg) yang bekerja pada frekuensi 2.4 – 2.45 GHz dengan ketinggian sekitar 700 km. Satelit tersebut akan mengirimkan sinyal informasi ke stasiun bumi penerima satelit nano. Jarak pengiriman yang begitu jauh dan banyaknya gangguan yang terjadi di lingkungan sekitar luar angkasa menyebabkan sinyal informasi yang dikirimkan memiliki daya yang sangat lemah. Oleh karena itu, setelah sinyal informasi diterima dan dikuatkan oleh antena penerima dibutuhkan sebuah low noise amplifier (LNA) agar level daya yang dikirimkan cukup besar dengan menekan noise yang dihasilkan sehingga dapat diproses oleh stage selanjutnya.
Pada tugas akhir ini dirancang dan direalisasikan LNA yang dapat bekerja pada frekuensi 2.425 GHz dengan spesifikasi gain 15 dB dan noise figure 2 dB. LNA tersebut dirancang dengan menggunakan mikrostrip dimana komponen aktif penyusunnya berupa transistor jenis e-pHEMT yaitu ATF 55413. Dari simulasi menggunakan software ADS, gain maksimum yang dihasilkan pada transistor ini sekitar 21 dB sedangkan noise figure minimum yang dihasilkan sekitar 0.5 dB sehingga dalam perancangan LNA menggunakan metode single stage amplifier dengan bilateral design.
Pengujian kinerja LNA dilakukan dengan membandingkan hasil yang didapat dari pengukuran dengan spesifikasi perancangan. Dari hasil pengukuran diketahui bahwa realisasi rangkaian LNA pada frekuensi 2.425 GHz menghasilkan gain sebesar 15.63 dB sedangkan perhitungan noise figure yang dihasilkan sebesar 3.02 dB.
Kata Kunci : LNA, Gain, Noise Figure
ABSTRACT : Nano satellite is small-sized satellite (< 10 kg) that works at the frequency 2,4-2,45 GHz with an altitude of about 700 km. The satellite will transmit information signal to the ground station receiver nano satellite. Long distance of transmissions and the amount of disturbance in the environment of space cause the transmitted information signal has a very weak power. Therefore, after the information signal is received and amplified by the receiver antenna requiring a low noise amplifier (LNA) so the level of power transmitted is appreciable by suppressing generated noise so that it can be processed by the next stage.
In this final assignment, LNA is designed and realized that can work at the frequency 2.425 GHz with specifications gain ? 15 dB and noise figure ? 2 dB. The LNA is design by using microstrip line in which active component consisting of e-pHEMT transistor types namely ATF 55143. From the simulation using ADS software, this transistor generated maximum gain is approximately 21 dB and the minimum noise figure around 0.5 dB so that the design of LNA using single stage amplifier with bilateral design.
Performance test of the low noise amplifier has been conducted by comparing the result from the measurement and the design specification. From the measurement it’s known that the realization of LNA at frequency 2.425 GHz has gain of 15.63 dB and the noise figure according to calculation measurement is 3.02 dB.
Key words : LNA, Gain, Noise Figure