PENGARUH PENYISIPAN TEMBAGA Cu MENGGUNAKAN METODE PULSE PLATING PADA SEL SURYA TiO2
RAMADAN PRATAMA GUMILAR
Informasi Umum
Kode
14.04.917
Klasifikasi
530.8 - Physics, Energy, matter, antimatter, classical physics, classical and quantum mechanics-Measurement
Jenis
Karya Ilmiah - Skripsi (S1) - Reference
Subjek
Semiconductors-physics
Dilihat
205 kali
Informasi Lainnya
Abstraksi
Pada penelitian ini dipelajari pengaruh penyisipan logam tembaga pada sel surya organik. Penyisipan logam Cu pada lapisan TiO2 dilakukan dengan metode pulse plating pada variasi tegangan dan duty cycle. Material TiO2 yang dicampurkan dengan aquades lalu dideposisikan pada FTO menggunakan metode spray. Lapisan TiO2 disisipi logam tembaga Cu dengan metode pulse plating sehingga membentuk lapisan kontak logam yang menjadi lintasan bagi elektron untuk mengalir lebih cepat menuju elektroda (FTO). Polimer elektrolit digunakan sebagai transport hole yang tersusun atas campuran LiOH dan PVA. Struktur sel surya yang telah dibuat dikarakterisasi dengan menggunakan I-V meter Keithley 617 untuk mengetahui performansi sel surya. Karakteristik I-V menunjukan terjadi peningkatan efisiensi sel surya TiO2 disisipi logam Cu dengan pulse plating sebesar 0,147% dibandingkan dengan sel surya TiO2 disisipi logam Cu dengan elektroplating sebesar 0,04%.
Koleksi & Sirkulasi
Tersedia 1 dari total 1 Koleksi
Anda harus log in untuk mengakses flippingbook
Pengarang
| Nama | RAMADAN PRATAMA GUMILAR |
| Jenis | Perorangan |
| Penyunting | Mamat Rokhmat, Edy Wibowo |
| Penerjemah |
Penerbit
| Nama | Universitas Telkom, S1 Teknik Fisika |
| Kota | Bandung |
| Tahun | 2014 |
Sirkulasi
| Harga sewa | IDR 0,00 |
| Denda harian | IDR 0,00 |
| Jenis | Non-Sirkulasi |
